2012.3.15学术报告：高频大功率声表面波器件的AlN/金刚石多层膜制备研究进展 - 刘丹瑛的博客

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2012.3.15学术报告：高频大功率声表面波器件的AlN/金刚石多层膜制备研究进展

[ 2012年03月13日 │ By: 刘丹瑛 ]

报告题目：高频大功率声表面波器件的AlN/金刚石多层膜制备研究进展
摘要：高频大功率声表面波器件的AlN/金刚石多层膜的研究意义、压电薄膜/金刚石高频 SAWF的原理和结构、AlN/Diamond多层膜的国内外研究现状、磁控溅射法制备AlN薄膜中各工艺参数对薄膜性能的影响机理、本人的研究思路、主要研究内容及实验进度安排等。

推荐文献：
Synthesis of c-axis oriented AlN thin ﬁlms on different substrates: A review
G.F. Iriarte *, J.G. Rodrı ´guez, F. Calle
Materials Research Bulletin 45 (2010) 1039–1045
推荐理由：
关于溅射法制备AlN薄膜，为了制备c轴择优取向生长AlN薄膜，很多研究者研究了各个工艺参数对薄膜生长取向的影响。从他们的研究结果来看，气压对薄膜取向的关系是确定的，溅射气压减小，会促使AlN薄膜的择优取向由（100）向（0002）转变，同时X射线摇摆曲线的半高宽也会变小。然而，其他沉积参数对薄膜质量的影响仍在研究讨论之中。一些文献中报道，增大氮气浓度会使晶体质量改善。然而，本文作者以及其他一些研究者的研究表明这并不是普遍的趋势，他们研究发现，在氩气浓度比氮气高很多的沉积情况下也能获得（0002）择优取向的薄膜。同样，靶功率（或电荷功率）对薄膜取向的影响也没有一致的规律：一方面，增大靶功率会改善AlN薄膜的结晶质量；另一方面，其他一些文献的研究结论并不一致，研究发现减小电荷功率，摇摆曲线中（0002）峰的半高宽会变窄，并有一个最小值，然后薄膜质量又开始变差。最后，基体温度对薄膜取向的影响也并不清晰。因此，在阅读文献过程中，关于众多工艺参数对薄膜质量的影响的报道，同一个工艺参数出现的不一致的结论会让我们迷惑甚至会误导我们。
本文是一篇综述性文章，作者对反应溅射合成高取向生长AlN薄膜给出了一个总的指导方针，讨论了基体选择、膜层厚度、基体温度、基体偏压、本底气压、靶基距、沉积速率、氩氮流量比、电荷功率及沉积气压这些工艺参数对AlN薄膜取向性的影响，对我们了解反应溅射法制备AlN薄膜以及实验参数的选择有较大的帮助。

Morphological properties of AlN piezoelectric thin films deposited by DC reactive magnetron sputtering
Thin Solid Films 388（2001）62-67
推荐理由：本文采用直流磁控溅射法，在Si(111)基片上成功沉积了AlN薄膜，并研究了溅射气压、溅射功率及靶基距对薄膜择优取向的影响。研究发现较低的溅射气压和较短的靶基距有利于（002）面择优取向生长；相反，较高的溅射气压和较长的靶基距更有利于（100）面的取向生长。作者从Al-N化学键的形成和溅射粒子的平均自由程角度探讨了AlN薄膜择优取向生长的机制，这对于我们理解溅射法制备的AlN薄膜择优取向生长的机理有较大帮助，而且对我们制备（002）取向生长AlN薄膜实验参数的选择有参考意义。

作者：刘丹瑛┆分类：学术交流┆评论：2┆引用：0┆阅读：9759


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